Substrat en AlN - Top Seiko Co,. Ltd.

350 x 5 mm (T), tolérance de planéité : 0,01 mm

Dispositifs pour équipements de fabrication de semi-conducteurs Ex. Les plaquettes factices ou les mandrins électrostatiques.

Le nitrure d'aluminium possède des propriétés de haute résistance à la chaleur, de haute conductivité thermique, d'excellente égalisation de la chaleur et d'isolation électrique. Le film de substrat AlN est utilisé principalement pour les dispositifs de fabrication de semi-conducteurs, et il peut également être utilisé pour le système d'évaporation sous vide, les machines de pulvérisation et les dispositifs CVD.