Substrato in Nitruro di Alluminio (AlN) - Top Seiko Co,. Ltd.

Dimensioni: 350 x 5 mm (spessore)

Tolleranza di planarità: 0,01 mm

Dispositivi per attrezzature di produzione di semiconduttori, ad esempio, wafer di prova o morsetti elettrostatici.

Il nitruro di alluminio ha proprietà di elevata resistenza al calore, elevata conducibilità termica, eccellente equalizzazione del calore e isolamento elettrico. La pellicola di substrato in AlN è utilizzata principalmente per dispositivi di produzione di semiconduttori, ma può anche essere impiegata in sistemi di evaporazione sotto vuoto, macchine di sputtering e dispositivi di deposizione chimica da vapore (CVD).