Bearbeitungsbeispiele

SiC-Suszeptor

Produkt SiC-Suszeptor
Material Siliciumcarbid
Verfahren Stanzen
Größe

Stanzen von Φ1,0 x 0,5 mm

Anmeldung

Für Geräte zur Halbleiterherstellung.

Beschreibung

Ein Suszeptor aus Siliciumcarbid wird zum Erwärmen und Halten der Wafer verwendet.
Der SiC-Suszeptor wird mit φ1,0 X 0,5 mm(H) gestanzt. Silicium
hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und ist ein beliebtes Material für heizungsrelevante Komponenten.

SiliciumcarbidMachining Examples