AlN-Substrat - Top Seiko Co,. Ltd.

350 x 5 mm (T), Ebenheitstoleranz: 0,01 mm

Geräte für Halbleiterfertigungsanlagen (z.B. Dummy-Wafer oder
elektrostatische Spannvorrichtungen)

Aluminiumnitrid hat Eigenschaften wie hohe Hitzebeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichneter Wärmeausgleich und elektrische Isolierung. AlN Substratfolie kommt hauptsächlich für die Herstellung von Halbleitern zum Einsatz und kann auch für Vakuumverdampfungssysteme, Sputteranlagen und CVD-Geräte verwendet werden.