AlN-Substrat

Product	AlN-Substrat
Material	Aluminiumnitrid
Processing Method	Poliert mit Rotationsschleifer
Size	350 x 5 mm (T), Ebenheitstoleranz: 0,01 mm
Application	Geräte für Halbleiterfertigungsanlagen (z.B. Dummy-Wafer oder elektrostatische Spannvorrichtungen)
Description	Aluminiumnitrid hat Eigenschaften wie hohe Hitzebeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichneter Wärmeausgleich und elektrische Isolierung. AlN Substratfolie kommt hauptsächlich für die Herstellung von Halbleitern zum Einsatz und kann auch für Vakuumverdampfungssysteme, Sputteranlagen und CVD-Geräte verwendet werden.

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